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什么是 SI4501BDYT1GE3?

元件型号: SI4501BDYT1GE3
产品名称: SI4501BDYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI4501BDYT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
系列: TrenchFET
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: N and P-Channel, Common Drain
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 30V, 8V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Rds On(最大)@Id、Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 805pF @ 15V
功率 - 最大: 4.5W, 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包: 8-SOIC
根据 12 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI4501BDYT1GE3

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SI4501BDYT1GE3

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SI4501BDY-T1-GE3   VISHAY

 

VISHAY 

3862
USD 0

SI4501BDY-T1-GE3   VISHAY

VISHAY 

50000
USD 0

SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

2022

5500
USD 0

SI4501BDY-T1-GE3   VISHAY

 

VISHAY 

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SI4501BDY-T1-GE3   VISHAY

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50000
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SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY

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