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什么是 SI5515CDCT1GE3?

元件型号: SI5515CDCT1GE3
产品名称: SI5515CDCT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI5515CDCT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
系列: TrenchFET
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: N and P-Channel
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 4A
Rds On(最大)@Id、Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id: 800mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 11.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 632pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: 8-SMD, Flat Lead
供应商设备包: 1206-8 ChipFET
根据 14 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI5515CDCT1GE3

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